Mechanism of GaN quantum dot overgrowth by Al0.5Ga0.5N: Strain evolution and phase separation
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Journal Article
Auteurs
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METSA, une infrastructure de recherche distribuĂ©e de 9 plateformes qui met Ă la disposition de la communautĂ© scientifique des instruments et une expertise uniques en France dans le domaine de la Microscopie Ălectronique en Transmission et de la Sonde Atomique.